MLCC(Multi-layer Ceramic Capacitor,多层陶瓷电容器)是一种由陶瓷介质膜片与内部金属电极交替叠层、共烧而成的高频贴片式电容器。随着AI芯片算力与功耗持续提升,服务器电源系统对MLCC的高频响应、高耐压及高可靠性的需求日益增长。同时,消费电子终端在轻薄化趋势下对高容量的要求也不断提高,驱使MLCC持续向更小尺寸、更大容量发展,其介质层和内部镍电极也随之不断变薄,单层电极厚度已进入亚微米尺度。然而,当电极与介质层厚度降至微纳尺度后,共烧过程中的收缩失配、界面扩散及应力累积等问题急剧放大,成为制约超薄层MLCC可靠性的关键瓶颈。

多层陶瓷片电容器(MLCC)的内部结构(图源:三星电机)
在这一过程中,作为内电极核心原料的镍粉也必须同步细化,以满足更薄电极层对颗粒尺寸和堆积致密性的要求。但随着镍粉粒径减小,其比表面积增大、表面能升高,烧结活性随之增强,使镍电极更容易在较低温度下发生烧结、收缩和晶粒长大。问题在于,镍与BaTiO₃存在明显的共烧收缩动力学失配:超细镍粉在约400-600°C开始烧结,而BaTiO₃介质层的显著致密化通常要到约1000 °C以上。镍电极先于介质层发生收缩,在相邻BaTiO₃的约束下容易产生局部应变和微观结构失稳;同时,镍颗粒发生重排、表面/界面扩散以及孔隙粗化,使原本均匀的超薄电极逐渐形成孔洞、通道甚至局部断裂,最终导致电极不连续。
因此,MLCC进一步微型化后,如何通过镍粉体设计、表面调控及共烧工艺,使超细镍粉的烧结行为与BaTiO₃介质层实现动力学匹配已成为核心技术挑战之一。接下来,我们将从镍粉粉体设计、镍粉表面包覆、电极浆料制备优化、BaTiO₃介质配方协同设计四个方向介绍一些解决途径。
方向一:镍粉粉体设计
第一个解决方案是,通过镍粉粒径和粒度分布调控烧结动力学。对于MLCC内电极而言,真正关键的是细而均匀:粒径过大难以形成超薄、连续的电极,而粒度分布过宽,又会导致不同颗粒在烧结过程中收缩不同步,加剧局部孔隙和电极失稳。实验数据显示,工业粉末(400.2±183.4nm)的烧结速度远远高于BaTiO₃层,而对于实验者研磨制备的镍粉(183.2±53.8nm),由于较窄的粒度分布,烧结速率延迟,可以获得与BaTiO₃层收缩平行的离散层。因此,镍粉的粒径控制从单纯追求纳米化,转向控制粒径与粒径分布和烧结动力学相匹配。

纳米镍粉D99/D50≤1.5(图源:广州盛立新材料)
方向二:镍粉表面包覆
另一种解决思路是在镍粉表面包覆钝化层,以降低镍粉的烧结活性。如:杭州新川新材料通过在镍粉表面包覆一层致密的Al₂O₃薄壳,物理阻隔氧气与镍核的直接接触,从而延缓镍粉的过早氧化和异常烧结,使其收缩行为更接近BaTiO₃介质层;同时Al₂O₃层作为扩散势垒,还能抑制Ni/BaTiO₃界面处的元素互扩散,减少界面反应层的形成。

粉体表面钝化处理,形成致密氧化层。(图源:杭州新川新材料)
方向三:电极浆料制备优化
镍粉需制成具有特定流动性和印刷性能的膏状浆料,才能用来印刷电极。在制备浆料时,直接在镍浆中混入BaTiO₃等超细陶瓷粉,可以有效延缓镍电极的低温收缩,使其收缩曲线与介质更接近。选用粒度均匀、结晶度高、分散性好的纳米镍粉,并搭配适配的无机阻缩助剂与烧结调节剂,可从源头抑制异常收缩。然而,单纯添加BaTiO₃存在局限:BaTiO₃颗粒无法在镍粉颗粒间形成有效的绝缘层,且过量添加可能导致镍粉在烧结过程中逐渐扩散进入介质层。风华高科生产的镍浆产品烧结温度在1250±150℃范围,能够与BaTiO₃介质层的收缩特性匹配,保证烧结后的电极连续性。

MLCC用镍内电极浆料 (图源:广东风华高新科技)
方向四:BaTiO₃介质配方协同设计
除了对MLCC用镍粉进行设计调控,还可以BaTiO₃介质成分进行设计。如在BaTiO₃介质中掺杂稀土及过渡金属元素,改变晶粒/晶界结构和缺陷状态,使其在镍内电极的还原烧结条件下实现稳定致密化。例如,村田制作所公开的MLCC专利显示,会在介电层掺杂钇(Y)、镨(Pr)、钯(Dy)、钼(Ho)等稀土元素进行改性。

稀土元素在BaTiO₃中的典型占位示意图。Nakagawa et al., 2025
总结
目前,超细镍粉品质优化、表面包覆设计、电极浆料制备优化、BaTiO₃介质掺杂等多种解决方案正在协同推进。随着高端粉体与浆料国产化持续深入,以及前沿工艺逐步成熟,MLCC共烧匹配这一关键瓶颈有望实现系统性突破,为高端电子元器件的自主可控提供关键技术支撑。
参考文献
[1] Yan Z, Martin C L, Guillon O, et al. Journal of the European Ceramic Society, 2014, 34(13): 3167–3179.
[2] Im T, Pyo J, Lee J S, et al. Powder Technology, 2021, 382: 118–125.
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