三安光电近日宣布，旗下湖南三安半导体基地8吋碳化硅（SiC）芯片产线已完成设备调试并正式通线，项目进展快于预期，标志着我国在第三代半导体高端制造领域取得重要突破。
据披露，该产线从建设到通线仅用不到一年时间。截至2025年8月，湖南三安已形成完整的碳化硅产业链配套能力：6吋碳化硅产能达1.6万片/月，8吋衬底与外延产能分别为1000片/月和2000片/月。作为总投资160亿元的重点项目，湖南三安半导体基地定位为全产业链垂直整合平台，达产后将具备年产36万片6吋晶圆和48万片8吋碳化硅晶圆的制造能力。
相较于当前主流的6吋产线，8吋碳化硅芯片在成本与性能上优势显著。数据显示，8吋晶圆可用面积是6吋的1.83倍，以5x5mm芯片为例，单张8吋晶圆可切割1080颗芯片，较6吋提升87.5%，能降低单位成本30%以上。同时，其工艺均匀性更优，可显著提升器件性能，在新能源汽车领域应用时，能使续航里程增加6%。
该产线通线将强化三安光电在新能源汽车、光伏储能、充电桩等领域的供货能力。结合此前与意法半导体合资的重庆8吋车规级产线布局，三安光电已构建起覆盖材料到器件的全国性碳化硅产能网络。业内认为，这一进展将加速我国第三代半导体国产化进程，为高端功率半导体自主可控提供关键支撑。
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