1月21日,中国电子行业协会及协会下属粉体技术分会发函通知,团体标准《晶体生长用高纯碳化硅粉体》已完成征求意见稿的编制,现公开征求意见。恳请业内专家贡献宝贵的修改建议,补充和完善团体标准,并于2025年2月20日前以邮件的形式反馈至联系人。
碳化硅(SiC)作为第三代宽禁带半导体材料,尤其胜任高温、高压、高频以及高功率的工况,在新能源汽车、电力电子、5G通信等领域的应用越来越广泛。随着市场需求的增加,相应的行业标准也必须跟进以确保行业稳健发展。晶体生长用高纯碳化硅粉体相比先进陶瓷、磨料、涂层等其他应用有更严格的标准,包括纯度、粒径分布、晶型、形貌等理化指标都会影响碳化硅晶体的质量。有鉴于此,为保障粉体原料的质量和一致性满足下游需求,促进产业健康发展,亟待制定晶体生长用高纯碳化硅粉体的行业标准。
2024年7月,中国电子材料行业协会粉体技术分会采纳并支持河南中宜创芯发展有限公司关于建立“晶体生长用高纯碳化硅粉体”团体标准的建议,决定由河南中宜创芯发展有限公司(以下简称中宜创芯)牵头承担团体标准《晶体生长用高纯碳化硅粉体》团体标准的制定,项目计划编号:CEMIA2024-2-01。本标准参与起草修订单位有绍兴晶彩科技有限公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所、华为技术有限公司、广州志橙半导体有限公司、西安博尔新材料有限责任公司、山东圣诺实业有限公司、汕头天意半导体技术有限公司、连科半导体有限公司、平顶山易成新材料有限公司、江苏三责新材料科技股份有限公司、东方电气洁能科技成都有限公司、浙江之升科技有限公司、精工博研测试技术(河南)有限公司。
标准工作组严格遵照 GB/T 1.1-2020《标准化工作导则 第 1 部分:标准化文件的结构和起草规则》的有关规定,经过调研、标准启动会、起草标准草案、进行验证试验、标准讨论稿和标准工作组内部会议等有序必要步骤,总结市场供需情况,结合业内各相关企业收集获得的技术资料,主要对碳化硅含量、杂质含量、堆积密度、粒度分布等指标进行了试验。收集行业内晶体生长用碳化硅粉体的主要供应商在下游客户端的应用产品。详细列出了包括SiC纯度、振实密度、粒度、氮含量(半绝缘型)、受控元素含量等指标的量化数值,认为参考值在行业内产品中处于平均水平,适合于行业内进行推广,并且符合产品在下游产业产线内的应用需求。
目前国内无相关产品的行业标准或国家标准,团体标准属国内首次制定,为使标准可以作为产品制造、交货验收的依据,满足行业使用单位的生产要求,最终顺利实施,请各有关单位和专家认真阅读标准文本,按照《意见反馈表》的要求汇总反馈意见;如对技术指标有重大意见,请书面说明论据或提出技术经济论证;如认为标准涉及专利,在提交反馈意见时,请将相关专利连同支持性文件一并附上。最后,希望业界同仁群策群力,使团标顺利通过并能够促进技术进步,推进碳化硅产业链的不断完善和发展,提高国内企业在国际市场中的竞争力。
公开征求意见时间:2025年1月21日-2月20日
联系人:李燕
电话:13377562702
邮箱:chinaptia@163.com
附件:
1.CEMIA2024-2-01《晶体生长用高纯碳化硅粉体》征求意见稿