上月初，在首尔举行为期两天的“SK AI峰会”上，SK海力士（SK hynix）正式宣布开发目前全球最大容量的48GB(千兆字节)HBM（高带宽存储器）——16层堆叠HBM3E，并展示了其卓越的核心成果。

现阶段，知名企业如SK hynix、Micron、三星等，都在大力开发HBM3E内存模块，并且在较小层数（如8层或12层）的HBM3E量产方面取得一定的进展。其中，SK hynix已在今年9月宣布率先开始量产12层HBM3E（36GB），也是目前全球HBM产品中容量最大的。

编者注：

所谓MR-MUF是Mass Reflow Molded Underfill的缩写，先进MR-MUF技术则是基于第一代技术的升级版本，具有翘曲控制功能(Warpage Control)，可实现无翘曲堆叠，芯片厚度比传统芯片薄40%，此技术采用新型保护材料，可有效改善散热性能。

混合键合(Hybrid Bonding)：一种无需凸点便可将芯片直接连接在一起从而实现更高带宽和容量的技术。通过这一措施,芯片整体厚度将变的更薄,可以实现更高堆叠。目前该技术正在考虑用于16层及以上的HBM产品。 SK海力士正在考虑采用结合先进MR-MUF和混合键合方式。

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参加本次峰会的有OpenAI总裁兼首席执行官格雷格·布罗克曼(Greg Brockman)，及微软全球副总裁拉尼·博卡尔(Rani Borkar)等，可见该硬件模块对AI产业的重要性。SK hynix社长表示，“我们通过堆叠16层DRAM芯片成功实现了48GB的容量，并应用了量产获得验证的先进MR-MUF技术，同时还在积极开发作为后端工艺的混合键合(Hybrid Bonding)技术。” 他补充道：“与12层堆叠产品相比，新品使AI的学习性能最高可提升18%、推理性能有望最高可提升32%”。公司计划于2025年实现16层堆叠HBM3E的商业化。”负责产品开发的SK hynix副社长则表示，“随着AI算力成本攀升，为了实现性能与成本的双重优化，定制型HBM正逐渐被开发。目前，我们正通过客户、代工厂和存储器供应商的三方协作，来积极应对这一行业挑战。”

编译整理 YUXI