随着人工智能技术的飞速发展,芯片性能提升成为推动行业进步的核心动力。在这些芯片背后,硅锗(SiGe)作为一种半导体材料,正在悄然发挥着越来越重要的作用。
硅和锗同属IV族元素,锗位于硅的正下方,比硅多一个电子层。与较为传统的硅相比,硅锗凭借优异的电学特性,成为高频和高速数据处理的理想材料,在高速通信和边缘计算领域表现突出。那么,究竟是什么让硅锗脱颖而出?它在AI产业中又扮演着怎样的角色?
什么是硅锗?
要了解硅锗,首先需要了解硅和锗,尤其是锗:
1、硅(Si)
首先,硅(Si)是半导体产业的基石。因其丰富的自然资源和稳定的化学特性,广泛应用于各种电子器件中。作为大多数半导体器件的主要材料,硅拥有出色的导电性能和较高的热稳定性,特别适合用于常规的低频、高密度集成电路中。可以说,硅的应用让我们进入了信息时代,但在面对高频、高速的应用场景时,它的电学性能已经逐渐无法满足更高的需求。
硅晶片
2、锗(Ge)
而锗(Ge)是一种少见的半导体材料,早在1869年化学家门捷列夫在创建元素周期表时就预测了锗的存在,并将其命名为“类硅”,暗示它与硅有相似的性质。然而,直到1886年,德国化学家克莱门斯·温克勒才从银矿物中成功分离出锗,验证了门捷列夫的预测。
Ge金属
在20世纪20年代,科学家开始研究锗的电学性能,特别是其高电子迁移率。二战期间,锗凭借优秀的电学性能、较高的稳定性和低熔点,被用于制造雷达接收器中的点接触整流器,显著提升了性能。1947年,贝尔实验室发明了世界首个晶体管,锗成为主要材料,广泛应用于军事计算机、电话交换设备、收音机和助听器等。
世界上第一个晶体管——用锗制成
尽管锗在高频应用、射频器件和高速光电子器件中具备独特的优势,但其稀缺性限制了其大规模使用。随着硅技术的崛起,锗逐渐被硅取代,特别是在大规模集成电路中的应用。然而,锗依旧在一些特定领域占据重要地位。值得注意的是,2023年7月3日,中国商务部和海关总署发布公告,对锗及其相关物项实施出口管制,进一步彰显了这一材料的战略意义。
3、硅锗(SiGe)
虽然自打硅晶体管开始登上历史舞台,锗的许多应用就逐渐被硅取代,但是这并不意味着锗被扫入了历史博物馆。人们又为锗找到了新的应用——硅锗(SiGe)。它是硅与锗优势互补的理想材料组合,由IBM研究人员在20世纪70年代和80年代发现,迅速成为半导体领域的重要突破之一。
SiGe可以在几乎任何硅基板上生长,锗的加入赋予其比纯硅更优异的电学特性。SiGe不仅保留了硅的稳定性和低成本,还具备更高的电子迁移率和频率响应,大幅提升了器件在高频、高速环境下的性能。利用Si-SiGe连接的电路相比纯硅电路具有更快的电子迁移率。
SiGe外延晶片
此外,SiGe与传统的硅基工艺兼容,这使得它能够融入现有的生产流程,进一步降低了制造成本。因此,SiGe在无线通信、高速计算以及其他需要高频响应的领域得到了广泛应用,特别是在5G和光通信、雷达/激光雷达以及高速铜接口应用中,其性能优势尤为明显。
硅锗与AI产业的结合
SiGe技术的核心是SiGe异质结双极晶体管(HBT)。与传统的硅双极晶体管相比,SiGe HBT具有更高的速度、更低的噪声和更低的功耗等优势。这使得SiGe成为实现通信电路的理想选择,特别是在射频和模拟应用方面表现出色。
射频芯片QUBiC SiGe
而在如今发展得如火如荼的人工智能(AI)产业中,SiGe技术的前景主要体现在以下几个方面:
①高性能计算和信号处理:AI系统通常需要处理大量的数据并进行复杂的计算。SiGe器件能够在高频下工作,且功耗较低,适合用于构建高速信号处理器和通信模块,提升AI芯片的整体性能。
②5G与边缘计算:随着5G技术的发展,AI与边缘计算的结合日益紧密,设备(如智能手机、物联网设备等)需要在本地数据中心快速处理和传输数据,不会完全依赖云计算。SiGe材料在5G高频频段(毫米波)中表现出色,广泛应用于相关的AI硬件中,用于构建高效的射频前端和数据传输模块,满足相关系统的实时计算和通信需求,如此一来这些设备即使没有互联网连接也可以运行并独立做出决策。
③高精度传感器:SiGe材料凭借其低噪声特性、高电子迁移率和优异的光电响应能力,在构建高精度传感器方面展现出显著优势,在相关AI系统的数据输入和处理过程中发挥了重要作用。比如,SiGe传感器在自动驾驶和智能制造中能够增强视觉和环境感知功能。其关键在于,SiGe外延层应用于短波红外传感器时,可提高对短波红外光的探测灵敏度,提升信号处理的精度和效率。
总结
总之,在未来随着AI产业对更高速、低功耗的需求增长,SiGe材料可能在通信、数据处理等关键领域中获得更广泛的应用,尤其是在需要高频和低延迟的场景中。随着技术的不断成熟和工艺的优化,SiGe有望突破更多技术瓶颈,为5G网络、边缘计算以及新一代智能设备提供更强大的支持。
资料来源:
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