高精度刻蚀 + 高选择性，适配微纳加工需求Ce⁴⁺氧化电位适中且氧化作用具有靶向性，仅高效氧化铜等电子元件核心靶材，不腐蚀硅片、玻璃基板、陶瓷基底等基材，可实现 PCB 精细线路、LCD 液晶玻璃微纳结构的精准刻蚀，彻底避免过刻蚀导致的线路短路、基底破损，完美匹配电子元件小型化、高密度的加工趋势，大幅提升产品良率。

反应进程可视化，工艺把控更精准氧化反应中会从标志性的橙色逐步变为淡黄色，无需额外检测设备即可实时监控刻蚀 / 抛光的反应终点，工艺上能精准把控处理时长，避免过度加工造成的元件损伤，也能防止处理不足影响产品性能，尤其适合工业化大规模连续生产，降低人工与检测成本。

水溶性优异，刻蚀 / 抛光体系均匀性高25℃时溶解度达 1.41g/mL，易配制成不同浓度的均匀水溶液刻蚀液 / 抛光液，无沉淀、无分层，能让药剂与电子基材表面充分、均匀接触，保证刻蚀后线路边缘平整、抛光后基板表面镜面化，避免因体系不均导致的局部刻蚀深浅不一、抛光面有划痕 / 瑕疵，提升电子元件的表面质量与电学性能。

电子级高纯度适配，无杂质污染风险可量产 99.99% 及以上电子级高纯产品，Fe、Ca、SO₄²⁻等杂质含量控制在ppm 级，使用过程中不会向半导体晶圆、液晶玻璃、硬盘基板等核心基材引入杂质，避免杂质导致的元件导电性下降、信号损耗、透光率降低等问题，同时产品符合 RoHS、CE 等高端电子制造环保认证标准。

反应条件温和，工艺安全性高、能耗低无需高温高压，常温或中低温（60℃左右）即可实现高效刻蚀 / 抛光，一方面降低生产设备的耐高温、耐高压要求，减少设备投入与能耗；另一方面避免高温导致的玻璃基板变形、硅片晶格损伤、PCB 线路翘曲等问题，提升生产过程的安全性与产品结构稳定性。

抛光效果优异，提升电子元件核心性能用于半导体芯片、记忆硬盘、显示器基板抛光时，可实现超精密镜面抛光，有效提升基板的可见光透光率（脱色后提升 5%-8%）与表面平整度，减少光散射、信号传输损耗，直接优化显示器显示效果、硬盘数据读写效率等核心性能，适配高端电子器件的性能要求。