氢氧化锆的分子式为Zr(OH)4，它由一个锆离子（Zr4+）和四个氢氧根离子（OH-）组成。
半导体级多晶硅用于制备芯片、晶体管等器件时，需要在硅片表面制备绝缘栅极涂层，传统 SiO₂涂层介电常数低（ε≈3.9），难以满足高容量器件需求，而氢氧化锆焙烧生成的涂层是理想替代品。
多晶硅片（光伏电池用）需经过制绒、腐蚀、抛光等工序，传统腐蚀液（HF/HNO₃混合液）存在腐蚀速率波动大、硅片表面出现麻点 / 划痕等问题，氢氧化锆可有效解决这些缺陷。
技术原理
氢氧化锆 英文名称:Zirconiumhydroxide 分子式:H4O4Zr CASNO:14475-63-9 外观:白色粉末 EINECSNO:238-472-7 分子量:159.25 密度:3.25 包装:25kg/编织袋
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