半导体掩膜版蚀刻 硝酸铈铵高纯度 CAN 溶液

集成电路抛光材料

  • 用于硅片和蓝宝石衬底的化学机械抛光 (CMP),利用 CeO₂的高硬度和化学活性实现超平坦化,表面粗糙度 < 1nm

  • 在先进制程 (7nm 以下) 中作为关键材料,确保全局平坦化

半导体掩膜版蚀刻

  • 高纯度硝酸铈铵 CAN 溶液 (≥99.9%) 作为铬掩模蚀刻液,具有选择性高、蚀刻速率可控 (50-200nm/min)、不损伤光刻胶等优势,广泛应用于面板和芯片制造


二水硝酸铈铵CAS:16774-21-3 

光学性能高透过率 (>98%)、低反射 (<5%)、可调折射率 (1.9-2.2)
化学稳定性耐酸、耐碱、抗氧化,工作温度可达 500℃以上
工艺适应性适用于多种基材 (玻璃、硅、金属、陶瓷),可通过调整工艺参数控制膜厚 (10nm-1μm)
环保性无毒 (铈为稀土元素,生物相容性好),部分工艺无有害排放



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