氯化铟制备氧化铟锡(ITO)薄膜

关于四水氯化铟产品的主要性质介绍

英文名称: Indium chloride

 CAS NO. 22519-64-8

分子式: InCl3·4H2O

分子量: 221.18

EINECS: 233-043-0


透明导电薄膜与电极

氯化铟可通过溶胶 - 凝胶法、喷雾热解法等工艺,制备氧化铟锡(ITO)薄膜的前驱体。ITO 是目前应用最广泛的透明导电材料,具有高导电性和可见光透明性,用于液晶显示器(LCD)、触摸屏、太阳能电池的电极等。氯化铟在制备过程中提供铟离子,经焙烧后转化为氧化铟(In₂O₃),再掺杂锡(Sn)形成 ITO。

化合物半导体材料制备

核心应用:作为铟源制备 Ⅲ-Ⅴ 族、Ⅱ-Ⅵ 族半导体化合物,例如:与砷化氢(AsH₃)反应生成砷化铟(InAs),是高频晶体管、红外探测器的核心材料,适用于微波通信和光电子器件。

与磷化氢(PH₃)反应制备磷化铟(InP),是光纤通信中激光二极管、光电探测器的关键衬底材料,具有高频、高速度的特性。

参与合成铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池的吸收层,氯化铟提供铟元素,与铜、镓、硒等形成具有高光吸收系数的化合物,提升太阳能电池的转换效率。



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备注: 四水氯化铟22519-64-8氯化铟四水;实验级氯化铟;水合氯化铟现货供应 CAS NO: 22519-64-8