InCl3金属卤化物的前驱体

氯化铟作为金属有机化合物气相沉积(MOCVD)制备过程的重要原材料。

高纯铟制品还可作为金属卤化物的前驱体,用于硅衬底上的晶片制备,对提升半导体产品质量与性能起到关键作用。

三氯化铟在液晶显示器制造中,同样也是制造透明电极不可或缺的化学物质。本品通过与锡酸盐、氧化钇等材料一起合成,氯化铟能够助力形成稳定且高效的透明电极,从而提升显示器的亮度、色彩稳定性以及电信号的传输速度,显著优化显示效果。

关于四水氯化铟产品的主要性质介绍

英文名称: Indium chloride

 CAS NO. 22519-64-8

分子式: InCl3·4H2O

分子量: 221.18

EINECS号: 233-043-0

氯化铟具有良好的化学稳定性,但在空气中会与氧气反应生成氯化氢和氧化铟,

用于氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等透明导电膜,广泛应用于触摸屏、太阳能电池、OLED 显示基板。

产品优势介绍与金属铟靶材相比,氯化铟前驱体成本更低,且溶液法适合大面积均匀成膜。

将 InCl4HO 添加到靶材中,通过磁控溅射制备 In 掺杂 ZnO(IZO)薄膜,实现 p 型导电,用于异质结器件。




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