氯化铟作为前体制备氧化铟锡(ITO)薄膜

氯化铟作为前体制备染料敏化太阳能电池的氧化铟锡(ITO)薄膜

四水氯化铟(InCl₃)的核心优势体现在:

溶解性优异:易溶于水、乙醇、异丙醇等极性溶剂,可制备均匀稳定的前驱体溶液(浓度通常 0.1-0.5 mol/L),适合大面积薄膜沉积(如旋涂、喷雾);

掺杂兼容性好:与锡源(如 SnCl₄)在溶液中无明显化学反应,可通过简单混合实现锡(Sn⁴⁺)对铟(In³⁺)的均匀掺杂(掺杂量 5-10 at.%,形成 n 型导电);

氯化铟(InCl₃)作为前体制备氧化铟锡(ITO)薄膜,是一种通过溶液法或气相法将铟源转化为透明导电氧化物的技术路径,尤其适用于染料敏化太阳能电池(DSSC)中对低成本、柔性基底兼容的需求。ITO 薄膜在 DSSC 中作为透明导电基底,需同时满足高透光率(可见光波段>80%)、高电导率(>10⁴ S/cm)和良好的化学稳定性,而氯化铟前体的特性(易溶解、纯度可控、反应活性适中)使其成为制备该薄膜的理想选择。


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备注: 将氯化锂(LiCl)和氯化铟(InCl3)在水中溶解,真空 200℃ 烧结制备而成,这种方法使得卤化物很容易作为保形涂层施加到正极材料上