WO₃含量高达99.98%,杂质元素严格管控:Si 仅 20ppm、Al 5ppm、Ti 7ppm ,极低的杂质残留,为电子、光学等对纯度敏感领域提供纯净 “基石”,避免杂质引发的性能波动,保障终端产品稳定性与一致性。
原晶粒度:SEM 检测显示原晶粒度为30nm ,纳米级晶粒赋予材料大比表面积与高活性,在催化、涂层等应用中,可加速反应进程,提升材料性能;
松装密度:0.45g/cm³ ,良好的松散特性,便于生产中均匀分散、混合,适配多种工艺(如陶瓷烧结、涂层制备),减少团聚带来的质量隐患;
比表面积:3m²/g ,合理的比表面参数,平衡材料活性与稳定性,既满足高效反应需求,又避免因表面能过高导致的团聚、失活问题。
重金属杂质(Pb、Sn 等):Pb 检测为 0、Sn 仅 2ppm ,符合电子、医药等领域严苛的环保与安全标准,助力产品通过国际认证;
磁性异物(Fe、Cr、Ni):控制在 65ppb ,在精密电子器件、光学设备制造中,杜绝磁性杂质对电磁性能、光学精度的干扰,保障设备高效运行。
水分:0.7Wt.% ,低水分含量,提升材料存储稳定性,避免因吸水导致的变质、团聚,延长货架期,降低生产损耗。

在芯片制造、传感器件中,高纯度、低杂质的三氧化钨,可制备高性能半导体薄膜、敏感元件 。其纳米晶粒与精准比表面,助力电子迁移效率提升,让器件响应更快、精度更高,为 5G、人工智能硬件升级提供核心支撑。
用于光学玻璃、镜头涂层,30nm 原晶粒度可实现均匀、致密涂层沉积 ,99.98% 纯度保障高透光率与低散射,搭配低磁性异物优势,为高端光学仪器(如显微镜、天文望远镜)打造清晰、稳定的光学环境。
凭借高活性比表面与纳米晶粒,作为催化剂或催化剂载体,可加速化学反应(如废气处理、新能源合成反应) 。低杂质确保催化路径纯净,提升反应转化率与选择性,助力环保、能源领域工艺优化。
在陶瓷烧结中,均匀分散的纳米粉体可细化陶瓷晶粒,提升陶瓷强度、韧性与电学性能 ;用于新型储能材料(如锂离子电池电极改性),能优化离子传输通道,增强电池充放电效率与循环寿命。
无论您是深耕电子芯片的技术先锋,还是探索新能源催化的科研团队,亦或是专注光学涂层的制造专家,这款三氧化钨粉体都将成为您突破技术瓶颈、打造高端产品的得力伙伴。选择我们的三氧化钨,就是选择性能卓越、品质如一的材料基石,携手开启高端材料应用的全新可能!
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