铟基半导体材料在多个领域有广泛应用，主要包括制造高频晶体管、光探测器、激光器、高性能集成电路和传感器等。铟可以与磷、砷、锑等元素形成多种化合物半导体，如磷化铟（InP）和砷化铟（InAs）。这些化合物半导体具有高电子迁移率、高饱和电子速度等优异性能，适用于制造高频、高功率的电子器件。
在半导体工业中，氯化铟用于制备发光二极管（LED）、激光二极管（LD）和太阳能电池，改善器件性能和能效。此外，它还用于光电传感器，利用其光电特性设计高效稳定的传感器材料。
氯化铟用于制备光学镜片、滤光片和光学仪器，具有优异的光学稳定性和透光性。它还用于光学玻璃与薄膜，广泛应用于光学领域。
在电子材料方面，氯化铟作为前驱体合成 铟锡氧化物 （ITO），广泛用于液晶显示器和触摸屏。它还参与制备 铟镉锌硫化物 （CIGS）和 铟砷化镓 （InGaAs），应用于太阳能电池和红外探测器
氯化铟四水 CAS. 22519-64-8
分子式: InCl3·4H2O
氯化铟分子量: 221.18
EINECS号: 233-043-0
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