4英寸碳化硅切割片(未研磨未抛光)生产商 650um
作为8英寸碳化硅衬底晶片生产生之一，恒迈瑞公司也为广大客户提供未研磨未抛光的4英寸碳化硅切割晶片，厚度选择多，有650um 900um 1100um等等，采购量大也可支持定制厚度。碳化硅切割晶片以导电N型居多，价格优惠被广泛应用测试验证。
通常碳化硅衬底厂的抛光工艺分为粗抛和精抛。
（1）粗抛：常用的粗抛工艺采用高锰酸钾氧化铝粗抛液搭配无纺布粗抛垫，通常采用的是无纺布抛光垫。高锰酸钾起到氧化腐蚀作用，纳米氧化铝颗粒起到机械磨削的作用，加工后的碳化硅衬底片表面粗糙度能达到0.2nm以内。
（2）精抛：通常采用100nm以内的氧化硅抛光液搭配黑色阻尼布精抛垫使用，使用单面抛光机对碳化硅衬底片的Si面进行抛光。常见的CMP精抛液是AB组份，抛光液通常是搭配双氧水使用，其中双氧水起到氧化腐蚀的作用。该工艺加工后的碳化硅衬底片表面粗糙度能达到0.1nm以内。
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