2英寸碳化硅切割片供应商1200um厚 研磨测试
在目前主流供应6英寸碳化硅衬底片状态下，恒迈瑞为有需求客户保留2英寸碳化硅切割片及2英寸双抛衬底片供应，直径50.8mm，厚度1200um，同时支持厚度定制如600um 900um 1100um等。在保质保量基础上，为国内外客户提供具有竞争力的价格。
碳化硅衬底的加工主要分为以下几个工序，切割、粗磨、精磨、粗抛、精抛（CMP）。
1、切割
切割是将SiC晶棒沿着一定的方向切割成晶体薄片的过程。将SiC晶棒切成翘曲度小，厚度均匀的晶片，目前常规的切割方式是多线砂浆切割
2、研磨
研磨工艺是去除切割过程中造成碳化硅晶片的表面刀纹以及表面损伤层，修复切割产生的变形。由于SiC的高硬度，研磨过程中必须使用高硬度的磨料（如碳化硼或金刚石粉）研磨SiC切片的晶体表面。
常规的研磨工艺一般分为粗磨和精磨。
（1）常规双面磨工艺
目前国内较多的碳化硅衬底厂商已经在规模化生产的工艺方案。
a、粗磨：采用铸铁盘+单晶金刚石研磨液双面研磨的方式
该工艺可以有效的去除线割产生的损伤层，修复面型，降低TTV，Bow，Warp，去除速率稳定，一般能达到0.8-1.2um/min的去除率。但该工艺加工后的晶片表面是亚光面, 粗糙度较大，一般在50nm左右，对后工序的去除要求较高。
b、精磨：采用聚氨酯发泡Pad+多晶金刚石研磨液双面研磨的方式
该工艺加工后的晶片表面粗糙度低，能达到Ra<3nm，这更有利于碳化硅衬底片后工序的抛光，但划伤不良一直存在。且该工艺使用的是爆炸法工艺制备的多晶金刚石，其生产难度大，产量低，价格极高。
粉体圈首页
