100mm4英寸碳化硅晶锭晶体生产商
作为6英寸SiC晶锭生产商，恒迈瑞公司亦为客户提供100mm4英寸导电N型碳化硅晶锭晶体，单个晶锭厚度15-20mm左右，导电型碳化硅晶锭电阻率0.015-0.028Ω.cm，晶型为4H，掺杂氮。恒迈瑞供应测试D级为激光设备测试客户以低成本进行测试验证，产品P级为半导体生产需求客户供应。
碳化硅（Silicon Carbide，SiC）的切割是制备SiC晶片的关键步骤之一。由于SiC的高硬度和脆性，传统的切割方法难以满足其加工要求。金刚石线切割是一种常用的SiC切割方法，适用于大尺寸SiC晶片的制备。
优点：
高效率：金刚石线切割速度快，适用于大尺寸SiC晶片的批量生产。
低热损伤：切割过程中产生的热量较少，减少了对SiC晶体的热损伤。
表面质量好：切割后的表面粗糙度较低，适合后续的研磨和抛光。
激光切割是一种高精度和高效率的SiC切割方法，适用于复杂形状和微细结构的加工。
优点：
高精度：激光切割可以实现高精度和高分辨率的加工，适用于复杂形状和微细结构的制备。
非接触加工：激光切割是一种非接触加工方法，减少了对SiC晶体的机械损伤。
灵活性高：激光切割可以通过调整参数实现不同形状和尺寸的加工。
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