...碳化硅由于硬度过硬（莫氏硬度在9-9.5之间）、不易与传统化学抛光剂发生反应等特性，在传统的化学机械抛光（CMP）中抛光效率低、表面材料去除率低、表面粗糙度高，难以满足产业化中高速率、高精...

发布时间：2024-08-23 10:45:42 分类：粉体应用技术

...2024年8月20日，北海道大学宣布，该校与东北大学、加州大学的联合研究团队成功实现了下一代蓄电池“水系锌离子电池”的高能量化和高输出化。研究背景目前，广泛使用的锂离子电池因其使用稀有金属...

发布时间：2024-08-22 17:52:57 分类：技术前沿

...标准编号：GB/T4008-2024标准名称：锰硅合金起草单位：鄂尔多斯市西金矿冶有限责任公司、吉铁铁合金有限责任公司、重庆市博赛矿业(集团)有限公司、内蒙古鄂尔多斯电力冶金集团股份有限公司、郑...

发布时间：2024-08-22 16:06:38 分类：行业标准

...随着光电子和微电子技术的快速发展，化合物半导体材料正在受到越来越多的重视，磷化铟是其中的代表性材料，当前磷化铟的研究焦点主要集中在抛光工艺，接下来，小编将为大家介绍磷化铟抛光现状及...

发布时间：2024-08-22 10:57:12 分类：粉体应用技术

...最近，深圳理工大学讲席教授丁峰与北京大学教授彭海琳合作，成功制备出4英寸超平整单晶六方氮化硼晶圆的成果以“Ultraflatsingle-crystalhexagonalboronnitrideforwafer-scaleintegrationofa2D-c...

发布时间：2024-08-22 10:38:55 分类：技术前沿

...随着半导体技术的不断发展，对CMP抛光液的性能要求也越来越高，尤其是在制作高集成度、低功耗、高速度的芯片时，需要使用更安全、更稳定、更高效、更环保的CMP抛光液。相对于油和其他溶剂，水基...

发布时间：2024-08-21 11:03:36 分类：粉体加工技术

...名古屋大学（名大）于8月8日宣布，开发了一种通用的合成方法，该方法通过将界面活性剂与金属离子共同析出，将其作为固体晶体用于铸模，从而成功合成了10种“非晶纳米片”，如镓、铝、铟、铈等。该...

发布时间：2024-08-19 17:35:05 分类：技术前沿

...标准编号：GB/T43750-2024标准名称：各向同性稀土粘结永磁粉磁特性测量方法起草单位：有研稀土新材料股份有限公司中国计量科学研究院、北京中科三环高技术股份有限公司,包头市科锐微磁新材料有...

发布时间：2024-08-16 16:05:18 分类：行业标准

...磷化铟（InP）作为具有代表性的第二代半导体材料，具有高光电转化效率、超高的饱和电子漂移速度、宽禁带宽度、强抗辐射能力和良好的导热性等优点，广泛应用在探测器、激光器和传感器等方面。“AI...

发布时间：2024-08-16 11:20:14 分类：粉体应用技术

...8月14日，弗劳恩霍夫应用固体物理研究所（FraunhoferIAF）宣布在半导体材料领域取得了突破性进展——他们成功利用MOCVD（Metal-OrganicChemicalVaporDeposition，金属有机化学气相沉积）工艺制造...

发布时间：2024-08-16 10:23:54 分类：技术前沿