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  • ...标准编号:GB/T3518-2023标准名称:鳞片石墨起草单位:中国五矿集团(黑龙江)石墨产业有限公司、中国地质大学(武汉)、中建材黑龙江石墨新材料有限公司、武汉理工大学,咸阳非金属矿研究设计院有限...

    发布时间:2024-09-14 16:53:16 分类:行业标准

  • ...氮化铝(AlN)单晶衬底作为第四代半导体材料,凭借其独特的物理化学性质和优异性能,有望成为AI产业的关键推动力量。AlN具备高达6.2eV的禁带宽度、高击穿场强、高化学和热稳定性,以及高导热和...

    发布时间:2024-09-14 11:04:26 分类:粉体加工技术

  • ...标准编号:GB/T2881-2023标准名称:工业硅起草单位:合盛硅业股份有限公司、云南永昌硅业股份有限公司、昆明冶金研究院有限公司、昌吉吉盛新型建材有限公司、浙江新安化工集团股份有限公司、都...

    发布时间:2024-09-13 16:40:27 分类:行业标准

  • ...在面向生成式AI的硬件中,需要通过电源线输送足够的电流到处理器,才能保障章程执行计算处理,但在实际工作中,电源供给速度通常难以跟上处理器需要的大电流,这给系统的稳定性和性能带来了挑战...

    发布时间:2024-09-13 10:48:00 分类:粉体应用技术

  • ...碳化硅(SiC)作为当前研发较为集中的第三代半导体材料,在电磁波吸收领域同样具有巨大的发展前景,它具有电阻率可调、抗热震性、密度小、热膨胀系数低、抗冲击性好等优点,在800℃以上的耐高温...

    发布时间:2024-09-12 11:37:44 分类:粉体应用技术

  • ...随着互联网、人工智能、云存储、云计算的快速发展,人们步入高度信息化时代,数据产生量呈指数级增长,据国际数据公司(IDC)测算,到2025年,全球将产生175ZB(1ZB=1012GB)的数据总量,其中约...

    发布时间:2024-09-11 10:18:26 分类:粉体应用技术

  • ...以碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料具有远大于Si和GaAs等第一、二代半导体材料的带隙宽度,且还具备击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速率高、抗辐射等优异特性,更加适应于电力电子、微...

    发布时间:2024-09-10 10:13:13 分类:粉体应用技术

  • ...冯诺依曼体系结构是现代计算机的基础。在该架构中,计算机的计算和存储功能分别由中央处理器和存储器独立完成,而它们之间的通信要通过总线来进行。随着AI极速发展,芯片算力呈爆发式增长,当执...

    发布时间:2024-09-09 11:43:21 分类:粉体应用技术

  • ...现代科技的快速发展使得电磁波成为信息传播的重要媒介,极大地便利了人们的日常生活,但电磁波的广泛使用给人们的健康带来了不良的影响;各电子设备间的电磁干扰会造成信号拦截、数据丢失等问题...

    发布时间:2024-09-09 11:17:34 分类:粉体应用技术

  • ...在人工智能时代,散热成为高算力、高集成度电子元器件的一大关键问题。只有选择合适的导热材料,才能有效将芯片工作时的热量及时散发出去,防止芯片因过热而性能下降或损坏。但是大多数情况下,...

    发布时间:2024-09-06 16:55:48 分类:粉体应用技术

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