1）湿法蚀刻剂

• 光刻掩模版铬层蚀刻、LCD/OLED 基板铬、ITO 薄膜刻蚀，替代铬酸，刻蚀精度高、侧蚀小，TFT 面板制造经典刻蚀液组分。

• PCB 精密线路、薄膜金属层微腐蚀。 2）CMP 化学机械抛光前驱体热分解生成纳米 CeO₂，用于玻璃基板、晶圆、光学元件抛光；化学氧化 + 机械研磨协同，降低表面粗糙度。

化学式：(NH₄)₂Ce(NO₃)₆，分子量 548.22。

CAS 号：16774-21-3，别名硝酸铈 (IV) 铵 。

英文名称：Ammonium cerium(IV) nitrate，简称 CAN。

‌氧化与催化‌：

在酸性条件下具有强氧化性，氧化能力仅次于氟、臭氧等，常用于氧化还原滴定 。

作为单电子氧化剂，反应时颜色由橙色变为淡黄色，便于监测反应进程 。

可催化烯烃聚合、醇氧化为醛酮、酚氧化为醌等反应，在有机合成中应用广泛 。

‌专业领域应用‌：

‌分析化学‌：用于微量银离子测定、薄层色谱显色剂及磷酸盐电极原料 。

‌生物化学‌：基于氧化偶联反应，可用于蛋白质中酪氨酸和色氨酸残基的修饰 。

‌微电子‌：用作集成电路刻蚀剂，60℃下 1 小时降解率可达 99%。