酸性条件依靠\(\ce{Ce^{4+}}\)的强氧化选择性,优先蚀刻还原性金属薄膜;对氧化物、氮化物、部分贵金属、光刻胶、玻璃基材几乎无腐蚀。
金属铬 Cr、氧化铬、氮化铬 CrN、铬硅 CrSi、镍铬合金膜。
光掩模版(石英基板铬遮光层)、LCD/OLED 掩膜版、光学光栅、分光片遮光膜;
掩膜版返工除铬、旧版翻新。

电解铜、压延铜薄铜箔。
HDI‑PCB、IC 载板、FPC 软板≤50 μm 精细线路图形化;铜镀层退镀返修;
普通粗线路一般不用 CAN,成本偏高,多用三氯化铁 / 双氧水‑硫酸体系。
银 Ag、镍 Ni、锡 Sn、铟 In;砷化镓 GaAs、磷化铟 InP 化合物半导体材料。
注意:铝 Al 属于弱蚀刻,速率慢,不推荐作为主蚀刻剂使用。