依靠酸性条件下Ce⁴⁺强氧化性 (1.61 V)，将金属氧化为可溶性离子，Ce⁴⁺还原为 Ce³⁺；最主流是铬膜蚀刻，用于光刻掩膜版、TFT‑LCD/OLED 制程。

蚀刻原理

铬层蚀刻主反应：

\(\ce{3Ce^{4+} + Cr → Cr^{3+} + 3Ce^{3+}}\) 铬被氧化成可溶性三价铬盐溶解，石英 / 玻璃、光刻胶、SiO₂、Si₃N₄几乎不被腐蚀，选择性优异。

主要蚀刻场景

1. 光掩模版铬膜蚀刻（最大用途）

石英基板上金属铬遮光层图形化，半导体光刻掩膜、TFT 显示掩膜版。

• 特点：侧蚀极小（undercut＜0.1 μm），边缘陡直，垂直度≥85°，适合亚微米‑微米级精细图形；可返工，旧掩膜版除铬翻新。

• 参考量产配方（1L）： 硝酸铈铵（电子高纯）150‑200 g + 70% 高氯酸100‑120 mL + 超纯水补至 1 L；pH＜1，橙红色透明，需 0.2 μm 过滤。

• 工艺参数：温度25‑35 ℃（恒温 ±0.5℃）；蚀刻速率50‑150 nm/min；130 nm 铬膜蚀刻时间 45‑55 s；浸泡 / 轻微鼓泡，避免强喷淋增大侧蚀。

• 后处理：大量超纯水冲洗→脱水→无尘烘干。

高氯酸作用：稳定 Ce⁴⁺，抑制 Ce⁴⁺水解沉淀，提升蚀刻均匀性；也可用稀硝酸替代，但稳定性略差。

2. PCB 精细铜线路蚀刻

高端 HDI 板，线宽≤50 μm 精细铜线路，替代三氯化铁。

• 参考配方：CAN 200‑500 g/L，68% 硝酸 50‑100 g/L，去离子水；pH 1‑3；25‑40 ℃；蚀刻速率 10‑20 μm/min。

• 优势：线路毛刺少，基材环氧板不受腐蚀，废液中铈可以回收再生。

3. 其他薄膜

• 铬合金、钼铬复合膜图形化；

• 不适合 ITO 主蚀刻：对 ITO 蚀刻速率慢，工业 ITO 一般用盐酸‑硝酸体系；CAN 极少用于 ITO 量产蚀刻。