1.优先选用CAN-高氯酸体系，不优先硝酸体系

高氯酸根对Ce有配位稳定作用，显著抑制水解;同等条件储存寿命:高氯酸配方6-12个月，硝酸配方仅2-4个月。

·典型掩膜版配比:硝酸铺铵150-200g/L，70%高氯酸100-120mL/L，超纯水定容，保证pH<1。

硝酸体系仅适合短期现配现用，不适合长期储存。

2.原料纯度:必须电子高纯级硝酸铈铵(4N及以上)

严控Fe2、Na”、K"等杂质;还原性重金属杂质会持续消耗Ce，加速药液失活，工业普通工业级不适合高精度蚀刻液。

3.配液用水:18.2M2·cm超纯水，杜绝自来水、普通去离子水中金属离子、碳酸氢根(会抬高pH).

4.配液顺序:先加水，再加酸，最后加入硝酸铈铵固体搅拌溶解;不要把酸直接倒入固体CAN，局部过热会造成局部Ce1分解。配完后

0.2um过滤除去微量不溶颗粒。

A不建议随意添加市售有机稳定剂;有机助剂容易被强氧化性Ce"氧化消耗，反而引入杂质，半导体/掩膜高端制程一般不加有机稳

定剂。专利中的有机稳定剂多用于普通PCB铬蚀刻，不用于光掩模高精度场景。