去年年底，北京天科合达蓝光半导体有限公司与中科院合作，成功研制了从2英寸到6英寸的碳化硅衬底，完成了我国碳化硅半导体从无到有的过程。近日，山东天岳自主研制的又一款4英寸高纯半绝缘碳化硅衬底产品面世，并且新生产线将达到年产40-50万片的程度。从实验室走到生产线，从研制成功到大规模量产，这标志着国内碳化硅衬底应用将获全面突破。

    碳化硅(SiC)由于其独特的物理及电子特性，在一些应用上成为最佳的半导体材料: 短波长光电元件，高温，抗幅射以及高频大功率元件，由于碳化硅的宽能级，以其制成的电子元件可在极高温下工作，可以抵受的电压或电场八倍于硅或砷化鎵，特别适用于制造高压大功率元件如高压二极体。碳化硅是热的良导体，导热特性优于任何其他半导体材料。碳化硅优良的特性使其在工业和军事上有很大的应用范围。并且，为降低器件成本，下游产业对SiC单晶衬底提出了大尺寸的要求，目前国际市场上已有6英寸（150毫米）产品，预计市场份额将逐年增大。

当前世界上研发碳化硅器件的主要有美国、德国、瑞士、日本等国家，但直到现在碳化硅的工业应用主要是作为磨料(金刚砂)使用。瑞士ABB曾经一度成功开发出碳化硅二极管，然而在2002年，由于工艺困难、前景不明，ABB终止了碳化硅项目，可见研发难度之大。半导体碳化硅衬底及芯片的重要战略价值，使其始终稳居美国商务部的禁运名单，这也导致我国很难从国外获得相应产品。

6英寸碳化硅晶体和单晶衬底片

目前美军第四代战斗机、电子干扰机和“宙斯盾”驱逐舰的相控阵雷达已开始换装碳化硅基微波器件产品。随着我国碳化硅晶片生产能力的增强，国产战机、战舰都将能换上新的、性能更好的“千里眼”，在质量和数量上缩小和美国的差距。

    此外，碳化硅材料对电力的能耗极低，按照如果年产40万片碳化硅晶片衬底的计划，仅仅应用在照明领域，每年减耗的电能就相当于节约2600万吨标准煤，是一种理想的节能材料。

    相信随着我国科技发展进步，碳化硅将在更多应用领域施展拳脚。

粉体圈 郜白