美国能源部(DOE)倡导的“美国制造挑战计划”旨在促进美国企业家和创新者、能源部国家实验室和私营部门之间的合作。最近，DOE电力办公室设立了价值225万美元的美国制造碳化硅(SiC)封装奖，邀请参赛者提出、设计、构建和测试最先进的碳化硅半导体封装原型，以使这些设备能够在储能等高压环境中更有效地工作。

据悉，该奖项（悬赏）总奖金225万美元，分三个阶段进行：

1、设计（50万美元，10支队伍）——参与者将描述他们的团队、计划在开发 SiC 半导体封装方面取得进展并展示任何原型。

2、原型（100万美元，4支队伍）——第一阶段获胜团队将开发符合第二阶段指标的SiC封装解决方案的物理原型。团队必须将其原型发送到国家实验室进行测试，以验证所达到的指标。

3、路演（75万美元，1支队伍）——第二阶段获胜团队将继续开发其SiC封装解决方案并展示其工作原型。他们将努力实现高电压和高电流目标，同时继续创新以改进封装。

美国能源部电力助理部长表示，“碳化硅半导体已成为一种成熟且广泛使用的技术，适用于需要电力输送的系统，特别是电动汽车充电和带电池的太阳能系统等储能应用中的充电和放电。但其传统设备封装会过热，从而限制电子设备的性能。因此，改进的封装可以实现更广泛的碳化硅应用，从而推动向清洁能源的过渡。”

编译整理 YUXI