8月3日，衢州常山县举行了浙江大和半导体产业园三期建设项目竣工仪式，该项目由浙江盾源聚芯半导体科技有限公司和浙江富乐德半导体材料科技有限公司总投资近20亿元建设，导入的化学气相沉积碳化硅生产线将填补国内空白。

图片来源：苏州建筑工程集团（项目施工方）

浙江大和半导体产业园主要由浙江盾源聚芯半导体科技有限公司高纯硅部件项目、浙江富乐德半导体材料科技有限公司氧化铝、气相沉积碳化硅（CVD-SIC）三个子项目组成。

气相沉积碳化硅以优异的导热性、高温稳定性、高电场承受力以及机械性能而在半导体行业得到广泛应用，如封装材料，如MOSFET、IGBT等的基板或衬底材料等等，可有效提升半导体功率器件的稳定性和可靠性。但气相沉积碳化硅的制备工艺流程复杂，设备成本高昂，规模化生产稳定性的控制对专业技术挑战很大，这都使得国内在该领域长期处于空白。

富乐德母公司ferrotec集团在气相碳化硅领域拥有30年的技术积淀，其独有的CVD法的SiC成膜技术，可提供低成本且高性能的产品，具有超高纯度、高耐腐蚀性、高抗氧化性、高耐热性、高耐磨性等特点。

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