钻石具有高电子迁移率、高热导率、和低介电常数等优异的电学性质，禁带宽度为5.47eV，是当前单质半导体材料中带隙最宽的材料，可望应用做为宽能隙半导体予以实用化。但金刚石硬度极高，而且化学性质稳定，因此其研磨或加工等处理都比较困难。
一般金刚石表面的平坦化多采用铸铁盘的研削法，但铸铁盘研削是利用金刚石粒子的机械研磨，会让金刚石表面产生机械性损伤，造成装置特性劣化的问题。因此，业界对不会造成机械性损伤，且成本低、可大量生产的金刚石平坦化工艺有着迫切的开发需求。
近日，日本金泽大学与德国Diamond and Carbon Applications公司共同开发了一项可做为金刚石研磨替代技术，且不会造成机械性损伤的平坦化技术。在此次研究中，研究团队让平坦的镍基板与钻石基板互相接触，并予以退火处理，进而成功地将钻石突起的部分有效率地蚀刻。此外，研究团队在2月已先行发表一项不会产生机械性损伤的刻印技术(Imprint)，是以碳固溶于镍之钻石蚀刻为基轴，并将制作出的镍铸型应用于金刚石刻印的技术，并采用于这次的研究中。利用此次的研发成果，将可望促进金刚石晶圆研磨大面积化、低成本化、去除机械性损伤的实现，并进一步推动金刚石半导体的实用化。
来源：材料世界网
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