9月1日，长飞先进半导体武汉基地开工仪式在湖北武汉光谷科学岛圆满举行。

据了解，长飞先进半导体武汉基地位于湖北武汉光谷科学岛，项目总投资预计超过200亿元。其中，项目一期总投资100亿元，可年产36万片SiC MOSFET晶圆，包括外延、器件设计、晶圆制造、封装等。一期项目预计2025年建设完成，届时将成为国内最大的SiC功率半导体制造基地，公司产能规模将居行业绝对领先地位。

长飞先进表示，在碳化硅行业，“产能为王”一直是行业关键词，尤其是随着800V新能源汽车的推出，2025年碳化硅市场将迎来全面爆发。为此，长飞先进于2022年重组就已经开始前瞻性规划武汉基地的建设，并于今日迎来正式开工。武汉基地的顺利开工，标志着公司在第三代半导体领域迈出了重要一步。

安徽长飞先进半导体有限公司成立于2018年，注册资本14,963.6604万元，专注于碳化硅功率半导体产品研发及制造，拥有国内一流的产线设备和先进的配套系统，具备从外延生长、器件设计、晶圆制造到模块封测的全流程生产能力和技术研发能力。

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