作用:Zr⁴⁺掺杂改性,抑制晶粒长大,优化温度特性 X7R/X5R,降低介电损耗,提升电压稳定性。
使用方式:两种路线 ①液相共沉淀:碳酸锆与钛酸钡前驱液相混合,煅烧得到掺杂介质粉,掺杂均匀性优于固相直接混 ZrO₂; ②干法外加:少量引入,一般0.5‑3wt%,不可过高,否则介电常数大幅下降。
风险点:Cl⁻杂质过高,会造成 MLCC 漏电、可靠性下降。
核心锆源:高纯碳酸锆 + 钛源 + 铅盐,共沉淀合成 PZT 前驱粉;煅烧生成锆钛酸铅,相比固相球磨,组分均匀,压电性能 d₃₃更高,烧结温度降低。
添加参考:按化学计量比引入 Zr 组分。
碳酸锆 + 氧化钇盐共沉淀,煅烧直接获得钇稳定氧化锆纳米粉;粉体活性高,烧结致密温度更低,电解质晶粒细小,氧离子电导率高。
工艺:沉淀‑洗涤除杂‑干燥‑700‑850℃煅烧,得到 YSZ 粉体。
少量添加,调节热膨胀、烧结行为;不建议大比例添加,分解产气,快烧工艺容易出现气孔、分层。
碳酸锆煅烧得到纳米氧化锆,再成型烧结,用于电子器件耐磨绝缘件、射频陶瓷配件。