高纯氧化锆粉体前驱体相比直接使用氧化锆粉体,碳酸锆热分解得到粉体比表面积大、活性高,掺杂元素均匀,合成温度可降低约 200℃,适合制备 YSZ 钇稳定氧化锆粉体、铈锆复合粉体。
固相掺杂改性源(MLCC、压电陶瓷)作为锆掺杂源,引入 Zr⁴⁺取代 B 位离子,调节介电常数、温度系数、压电系数,抑制晶粒异常长大,提升陶瓷致密度、绝缘性、老化性能。
固态电解质前驱(SOFC 氧传感器)和氧化钇共沉淀,原位合成 YSZ 电解质粉料;可制备电解质涂层浆料,低温分解成致密氧化锆层,氧离子传导性能优异。
LTCC 低温共烧陶瓷作为功能添加组分,调节烧结温度、热膨胀系数,改善基板致密度,控制介电损耗;注意:分解释放 CO₂,配方与升温曲线必须匹配。
半导体精密陶瓷部件制备高纯氧化锆结构电子陶瓷:绝缘垫片、定位销、耐磨陶瓷基座,提升绝缘、耐磨、抗热震。