Ce为强氧化剂，酸性环境下氧化金属铬(Cr/CrOx遮光层)生成可溶性Cr3*，自身还原为Ce3*

Cr+3Ce4+->Cr3+ +3Ce3+

溶液由橙红色(Ce4)转为淡黄色(Ce3+)，颜色变淡代表药液活性衰减，需补加CAN或再生。

优势核心:高选择性，不腐蚀石英基板、SiO2Si,N,、常规耐型光刻胶，侧蚀小、图形边缘陡直，是光掩模版(半导体、LCD/OLED)

铬膜湿法蚀刻主流体系。

二、产品规格要求(掩模版专用电子级CAN固体)

·外观:橘红色结晶固体，易潮解

纯度:≥99.5%(高端掩模≥99.9%)

·关键控制:低金属杂质(Na、K、Fe、Cu≤s0.1ppm)、极低氯离子(氯离子会造成基板点缺陷、漏电)

，粒径:均匀细晶，DI水快速溶解，溶解后0.2um过滤使用

三、量产常用蚀刻液配方(以1L去离子水为基准)

1高氯酸体系(传统主流，精度最优，光罩厂通用)

CAN固体:180~220g

70%高氯酸:100~130mL

DI水补至1L

工况:25~30°C，Cr蚀刻速率300~600A/min，侧蚀<0.1um，适合高精度半导体掩模版

2硝酸体系(安全性更高，OLED/LCD铬版)