16774-21-3 硝酸铈铵

作用原理

1.热分解制备纳米氧化铈

TG-DSC:150°C开始分解，200-300°C基本完成分解:

2(NH4)2Ce(NO3)2Ce02+4NH31 +12NO2t+O2个 +2H20

分解全部为气体逸出，无固体杂质残留，得到高纯度纳米CeO2颗粒，莫氏硬度≈6.5。

2.CMP化学-机械协同抛光机理·Ce对衬底表面氧化、化学软化;，纳米CeO2颗粒做机械研磨去除;

实现原子级平整，低划痕、低表面缺陷。

对比硝酸铵(I):CAN自带Ce4，产物四价铈占比高，抛光化学活性更强;三价硝酸铵焙烧需要额外氧化工序。

二、对应抛光应用场景

1.第三代半导体衬底

SiC、GaN晶圆衬底CMP;去除速率1500-2000A/min;抛光后Ra≤0.1nm，降低表面划痕与亚表面损伤，提升器件良率。

2.硅基芯片CMP

STI浅沟槽隔离、ILD层间介质氧化硅抛光;也用于铜互连抛光液铈组分原料。

3.显示面板基板

LCD/OLED石英/玻璃基板、UTG超薄玻璃;硬盘盘基镜面抛光;同时CAN本身又是铬掩模版蚀刻液主原料，同一物料兼顾蚀刻+抛

光前驱体两大制程。