氢氧化锆的分子式为Zr(OH)4，它由一个锆离子（Zr4+）和四个氢氧根离子（OH-）组成。

半导体级多晶硅用于制备芯片、晶体管等器件时，需要在硅片表面制备绝缘栅极涂层，传统 SiO₂涂层介电常数低（ε≈3.9），难以满足高容量器件需求，而氢氧化锆焙烧生成的涂层是理想替代品。

多晶硅片（光伏电池用）需经过制绒、腐蚀、抛光等工序，传统腐蚀液（HF/HNO₃混合液）存在腐蚀速率波动大、硅片表面出现麻点 / 划痕等问题，氢氧化锆可有效解决这些缺陷。

1. 技术原理

• 稳定腐蚀速率：氢氧化锆在腐蚀液中均匀分散，通过调节体系 pH（稳定在 2.0-2.5），抑制 HF 的过度电离，避免局部快速腐蚀；

• 抛光增亮：氢氧化锆粉体作为软磨料，与硅片表面发生轻微机械摩擦，同时通过化学吸附去除表面氧化层，提升硅片表面平整度。

2. 
   

氢氧化锆 英文名称:Zirconiumhydroxide 分子式:H4O4Zr CASNO:14475-63-9 外观:白色粉末 EINECSNO:238-472-7 分子量:159.25 密度:3.25 包装:25kg/编织袋