电子级高纯硝酸铈铵，是铬膜 / 铬镍膜精密蚀刻、PCB 线路蚀刻、光掩模除铬的核心稀土蚀刻剂，主打高精度、低侧蚀、高选择、易回收。

一、蚀刻原理（氧化还原）

Ce⁴⁺强氧化剂（E°≈1.61 V），将金属铬 / 铬镍氧化为可溶性 Cr³⁺，自身还原为 Ce³⁺，实现精准溶解：

• 基础反应：\(\ce{3Ce^4+ + Cr → 3Ce^3+ + Cr^3+}\)

• 体系：CAN + 高氯酸 / 硝酸 + 水，酸性防水解、稳速率

二、核心蚀刻场景

1. 光掩模 / 精密铬膜蚀刻（半导体 / 显示）

• 适用：光刻铬版、LCD/OLED 铬电极、光学镀膜除铬

• 配方：10–20% CAN + 1–3% 高氯酸 + 去离子水

• 工艺：25–35℃，速率50–150 nm/min，边缘垂直度≥85%

• 优势：不蚀光刻胶 / SiO₂/ 氮化硅，对金 / 钛 / 钨无损伤，纳米级无侧蚀

2. PCB 精细线路蚀刻

• 适用：高端 PCB（线宽≤50μm）、铜 / 铬镍合金线路

• 配方：0.2 mol/L CAN + 0.5 mol/L 硝酸 + 水

• 工艺：室温，速率10μm/min，基材（环氧）无腐蚀

• 优势：替代 FeCl₃，线路平整、毛刺少、废液易处理、Ce³⁺可回收

3. 其他金属蚀刻

• 可蚀：铬、铬镍、铜、镍、GaAs；弱蚀铝 / 钛 / 钽

• 不蚀：SiO₂、Si₃N₄、Ti、W、Au、Pt，适合多层膜选蚀

三、蚀刻核心优势

• ✅ 高精无侧蚀：纳米级精度，边缘垂直，适合 5G / 半导体高端制程

• ✅ 高选择兼容：只蚀目标金属，不伤光阻 / 介质层，良率高

• ✅ 温和易控：室温–40℃，速率可调，稳定不爆蚀

• ✅ 绿色易回收：Ce³⁺可电解 / 空气氧化再生，废液重金属残留低