氮化铝（AlN）是第三代半导体材料的典型代表之一，又是这些材料中的直接带隙中禁带宽度（6.2eV）最宽的一个，同时具备了极为优良的光、电、声、机械性质，目前已经表现出极其广阔的应用前景和难以估量的巨大经济效益，其中最被看好的应用包括更高电压的功率元件以及（深）紫外LED与镭射二极管等。

不过与商业化更为成熟的SiC相比，AlN在单晶生长及其衬底制备上的技术难度高出得不是一点半点，不仅更复杂，而且成本也更高——可以说，缺乏足够大和高质量的单晶就是限制AlN发展的主要原因之一。截至目前为止，世界各国已经为生长大尺寸氮化铝单晶作了近50年的努力，其中物理气相沉积法被公认为生长块状氮化铝单晶的唯一方法。

现在全球范围内有能力生长出2英寸AlN单晶的企业/研发机构非常有限，奥趋光电技术（杭州）有限公司（以下简称“奥趋光电”）正是其中的佼佼者。就在去年于日本横滨举行的LED 工业应用国际会议( LEDIA-2019) 上，奥趋光电推出了直径60 mm 氮化铝单晶及晶圆，该晶圆为迄今为止国内外见诸报道的最大尺寸氮化铝晶圆。

直径60 mm氮化铝单晶衬底

尽管现阶段市场仍尚未大量导入AlN相关元器件产品，但随着近年来光电子器件领域的快速发展，高功率紫外LED芯片对AlN单晶衬底的巨大需求还是有望被引爆的，因此加紧对AlN晶体的生长工艺的研究具有现实意义。在1月6-8日于广东珠海举办的“2021全国高纯粉体与晶体材料创新发展论坛”上，来自上海大学材料科学与工程学院 、奥趋光电技术（杭州）有限公司的吴亮教授将分享题为《高质量、大尺寸AlN单晶生长及其应用前景展望》的报告，感兴趣的话就别错过了哦！

个人简介

吴亮教授，“东方学者”特聘教授、博士生导师，分别毕业于比利时天主教鲁汶大学、清华大学及大连理工大学，获工学博士、工学硕士及本科学位，奥趋光电技术（杭州）有限公司创始人、CEO。。长期从事半导体、光伏/LED晶体材料模拟仿真技术、晶体生长设备及其生长工艺与缺陷的研究开发。是全球知名晶体生长模拟仿真软件FEMAG的核心开发人员之一、知名网格生成软件poly2tri作者；Elsevier Journal of Crystal Growth 客座编辑（guest editor）；PV Japan-2011 大会全员特邀演讲嘉宾（Plenary keynote speaker）；SEMI全球协会Semi China光伏材料学术委员会成员，光伏材料分会主席；主要研究方向：晶体生长设备、热场设计与工艺；磁场对晶体生长过程的影响及其耦合技术；晶体生长过程的微观缺陷形成机理及其传输机制。有限元非结构化网格自动生成；晶体生长工艺过程的全局计算机模拟、仿真与工艺优化等

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