11月20日，东粤海金半导体科技有限公司宣布在自主研制的碳化硅单晶生长炉上成功制备出直径超过205毫米的8英寸导电型碳化硅晶体，晶体表面光滑无缺陷，厚度超过20毫米，同时已经顺利加工出8英寸碳化硅衬底片。

据了解，粤海金半导体攻克了大量工艺技术难关，在8英寸碳化硅晶体研发过程中成功解决了大直径晶体扩径生长、大尺寸热场分布和高温气相输运、大尺寸晶体应力控制等关键共性技术难题，形成并掌握了完整的工艺解决方案，获得了质量优良的碳化硅单晶与衬底片，为后续持续提升质量并进行产业化批量生产打下了坚实的基础。

粤海金半导体是高金富恒集团旗下专门从事第三代半导体材料——SiC衬底片材料研发与生产的产业化公司。此次8英寸导电型碳化硅单晶与衬底片的研制成功，进一步提升了粤海金半导体在碳化硅半导体材料领域的竞争力，具备了紧跟国内外行业快速发展的技术实力。粤海金半导体将持续加大研发与产业化生产投入，在技术创新的基础上快速提升产品批量交付能力，为下游客户提供品质更优、更具性价比的碳化硅衬底片产品。

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