一、蚀刻原理

核心活性物:Ce4(强氧化性)，酸性条件选择性氧化金属铬，铬转变为可溶性Cr3进入溶液;Ce+被还原为无蚀刻活性的Ce3

Cr +3Ce4+ ->Cr3+ +3Ce3+

 高选择性:仅腐蚀Cr/CrOx;不腐蚀石英/玻璃基板、光刻胶、SiO2这是CAN最大优势，保证图形CD精度溶液外观:新配液为橙红色(Ce4);随蚀刻消耗/光解，颜色逐渐变黄(Ce3*增多，活性下降)

二、典型配方(量产2个主流体系)

原料必须电子级硝酸钵铵(4N~5N)，严控Fe、Na、K重金属杂质，杂质会催化Ce“*快速分解

1.LCD掩膜:CAN+硝酸体系(最常用】硝酸铺铵:10~20wt%，硝酸:2~5wt%，余量超纯水作用:硝酸提供酸度，抑制Ce4*水解沉淀，提升蚀刻均匀性

2.OLED高精度掩膜:CAN+高氯酸体系硝酸铺铵:10~20wt%，高氯酸:1~3wt%，余量超纯水

优势:剖面更陡直，侧蚀更小，适配MicroOLED精细线宽，Undercut 可控制<0.1um