一、对应的 CMP 具体工艺场景（氧化铈浆料适用工序）

1. STI 浅沟槽隔离抛光（最核心、用量最大场景）

• 制程：前端 FEOL，28nm 及以上成熟制程、部分 FinFET、3D NAND

• 抛光对象：TEOS 氧化硅薄膜，停止层是氮化硅 Si₃N₄

• 核心需求：极高 SiO₂/Si₃N₄选择比（50:1~100:1），快速磨掉沟槽上方氧化硅，保护氮化硅掩膜不被过度损耗，控制碟形凹陷 dishing 与全局平坦度

• 硫酸高铈路线优势：原料自带 Ce⁴⁺，沉淀得到的 CeO₂表面氧空位多、Ce⁴⁺占比高，化学齿效应强，氧化硅去除速率高，适合 STI 高选择性抛光。

2. PMD 金属前介质层抛光（Pre-Metal Dielectric）

• 场景：FEOL，金属层之前的氧化硅介质平坦化

• 工件：掺杂 / 非掺杂 SiO₂薄膜，要求晶圆片内、片间厚度均匀性

• 特点：相比 STI 对选择比要求略低，更看重全局平整度、低缺陷；国产氧化铈浆料很多采用硫酸高铈前驱体制备。

3. ILD 层间介质抛光（部分场景）

• 常规 ILD 多用硅溶胶；部分特殊 ILD（厚氧化硅、高平坦化要求）选用氧化铈浆料

• 适用：厚层氧化硅平坦化，不用于铜互连低 k 介质（低 k 膜不耐氧化铈的化学作用）

4. 3D NAND 堆叠氧化硅 / 氮化硅交替膜 CMP

• 3D 闪存多层 ON（Oxide/Nitride）堆叠结构，需要高选择性氧化硅抛光，保护氮化硅层；是近年氧化铈 CMP 增量场景，硫酸高铈前驱体制备的高纯 CeO₂在此赛道有较多研发与小批量应用。

5. 晶圆基底 / 外延层辅助抛光（次要）

• 硅片表面氧化层精抛、SOI 衬底氧化硅平坦化；用量远小于 STI。