核心加工对象：金属铬、氧化铬、镍‑铬合金，薄铜膜；基材：石英、光学玻璃、TFT 玻璃、SiO₂，对光刻胶选择比高，无氯离子污染。

1、半导体光掩模版（Photomask，最核心场景）

• 石英基板上铬遮光层湿法图形化，半导体、面板曝光用铬版，线宽可达亚微米级别。

• 工艺：CAN‑高氯酸体系，浸泡鼓泡蚀刻；侧壁陡直，侧蚀小；不腐蚀石英基底、光刻胶。

• 产品：IC 光刻掩膜、LCD/OLED 曝光铬掩模版、科研实验室光刻铬版。

2、显示面板行业（LCD / OLED / TFT）

1）TFT 阵列基板：铬金属栅极、铬布线、遮光层图形蚀刻，玻璃基板，不能有氯离子残留，避免器件漏电缺陷。 2）OLED 器件：镍‑铬合金电阻层、铬隔离层的精细蚀刻；部分工艺用于去除基板表面残留铬膜。

面板产线多用CAN‑硝酸配方，成本均衡；高端掩膜使用 CAN‑高氯酸配方。

3、光学元件、光学玻璃器件（对应你前面提问）

1）光学玻璃、棱镜、滤光片表面镀金属铬遮光膜，光刻后用 CAN 蚀刻做出遮光狭缝、遮光栅格、光阑图形；只蚀铬膜，不损伤光学玻璃基材与光学镀膜基底。 2）光学石英器件：石英窗口铬掩膜图形加工。

区分：硝酸铈铵做蚀刻液是后道薄膜图形化；作为玻璃熔制原料是玻璃熔体内部脱色，二者用途完全不同。

4、镍‑铬合金薄膜电路、薄膜电阻

• 薄膜电阻芯片、传感器，Ni‑Cr 合金薄膜图形化，制备精密电阻线路。

• 特点：铬、镍同步均匀溶解，不易产生膜层剥落断线，电阻阻值一致性好。

5、高端 PCB 与厚膜电路

• 高密度精细线路板，蚀刻薄铜膜、铬‑铜复合层；线宽≤50μm，替代三氯化铁蚀刻液，无氯离子，线路边缘毛刺少，基材环氧板不受侵蚀。

• 厚膜混合集成电路，基板上铬金属层图形化。

6、半导体与光电器件、科研实验室

1）砷化镓 GaAs 基光电器件，局部湿法选蚀；对 SiO₂、Si₃N₄几乎无腐蚀，可做选择性剥离工艺。 2）MEMS 微器件：铬牺牲层、铬掩模层蚀刻。 3）实验室小试：科研光刻样品、薄膜样品的铬膜图形加工，是实验室标准铬蚀刻试剂。

7、修复、返工工序

光学掩膜、玻璃基板返工，选择性去除多余铬膜，在不破坏石英 / 玻璃基底前提下清除铬层，用于不良品修复。