一、蚀刻核心原理

硝酸鈰铵(NH4)2Ce(NO3)6依靠Ce4强氧化性(E=1.61V)，酸性条件下氧化金属，Ce+被还原为Ce3+，金属变成可溶性离子溶

1)铬蚀刻(光掩膜最主流)

3Ce4+ +Cr->3Ce3+ +Cr3+

只溶解Cr;不腐蚀石英、SiO2、SijN、光刻胶、金;会腐蚀MoSi、钨、钛。

2)铜蚀刻

2Ce4++Cu->2Ce3++Cu2+3)ITO:氧化铟锡，Ce破除表面钝化层，铟锡离子溶出。

1CAN-高氯酸体系[半导体铬掩膜首选]

用于i-line/KrF铬掩膜版、TFT掩膜、掩膜返工剥铬，侧蚀最小、侧壁陡直，无氯离子污染。

参考配方(量产参考)

硝酸鈰铵:180-220g/L;70%高氯酸:100-130mL/L;电子级去离子水补至1L

工艺条件:恒温25-30°C;0.1um PTFE循环过滤;喷淋为主

蚀刻速率:70-100nm/min(铬膜);侧壁角度≥85°;侧蚀<0.1um

2CAN-硝酸体系[显示ITO、PCB铜、普通除铬】

·配方:CAN100-200 g/L,硝酸50-100mL/L,DI水补足温度28-35°C;速率更快，但侧壁质量略低于高氯酸体系，多用于面板ITO、大基板、返工退膜。

三、关键工艺影响因素

1.浓度:CAN越高蚀刻越快;过高易过蚀、边缘毛刺;过低蚀刻不完全、残铬。

2.温度:温度每升高5-10°C速率明显上升;精密掩膜严禁>35°C，温度升高侧蚀变大，基板热变形风险上升。

3.酸度

。高氯酸:稳定Ce，抑制水解，提升侧壁垂直度，铬掩膜标配;

。硝酸:成本低，适合ITO、铜蚀刻;