硝酸铈铵是二元铬基光掩模版（Binary Chrome Mask）湿法铬蚀刻的经典标准化学品，主要完成石英基板上 Cr 遮光层图形化，也用于掩膜返工、残铬去除.

一、量产工业案例

案例 1：i‑line、KrF 半导体二元铬掩膜版量产（8 英寸 / 12 英寸晶圆光刻用光罩）

• 场景：逻辑芯片、存储芯片 i‑line/KrF 曝光用石英铬掩膜，特征尺寸掩模版上≥250 nm，对应晶圆端 130nm 及以上节点ResearchGa...。

• 基材：熔融石英基板，溅射 Cr/CrOx 双层遮光‑抗反射膜；电子级 4N 硝酸铈铵原料，严格控制 Fe、Na、K、Ca、Cl⁻杂质 ppm 级别。

• 典型蚀刻液配方：CAN 180‑220 g/L，高氯酸 100‑130 mL/L，电子级去离子水；0.1 μm PTFE 精密过滤；恒温 25‑30 ℃；蚀刻速率 70‑100 nm/min。

• 设备：SUSS HMX 系列自动掩膜湿法处理机，喷淋式蚀刻；不腐蚀石英基底、光刻胶，侧蚀＜0.1 μm，侧壁陡直度≥85°，保证 OPC 辅助图形、亚分辨率 SRAF 图形完整复制NIST。

• 行业现状：Toppan、DNP、国内路维光电、清溢光电传统铬掩膜产线均配置 CAN 湿法铬蚀刻工序；先进 ArF 掩膜逐步转向干法蚀刻，但中小节点、封装掩膜仍然大量使用 CAN 湿法工艺。

案例 2：显示面板 TFT‑LCD/OLED 光掩膜版制造

• 场景：G6‑G11 高世代面板掩膜，TFT 阵列、彩膜、黑矩阵掩膜版。

• 工艺：大尺寸石英基板铬膜图形化；CAN 体系低温 25‑35℃喷淋蚀刻，避免大基板热变形；无氯离子，防止线路后期电化学腐蚀失效。

• 特点：面板掩膜尺寸大，对蚀刻面内均匀性要求极高，CAN 药液循环过滤 + 铈再生系统，降低耗材成本。

案例 3：掩膜版返工修复（Repair / Reclaim）

• 场景：新掩膜制版出现图形缺陷、旧掩膜回收复用，需要整体剥离全部铬遮光层，保留石英基板。

• 工艺：高浓度 CAN 蚀刻液，浸泡喷淋，完整剥除整面 Cr/CrOx 薄膜；只溶解铬层，不损伤石英基板，基板可以重新溅射铬膜二次制版，大幅降低基板成本。