7758-88-5 德盛CeF₃氟化铈工厂
1)烧结助剂(氮化硅、碳化硅、氧化锆、氧化铝陶瓷)2)超精密抛光磨料(SiC、Si₃N₄、AlN、TZP 陶瓷镜面抛光)
CeF₃熔点 1640 ℃,高温下会形成低共熔液相,属于氟‑稀土系液相烧结助剂,区别于常用氧化物助剂 (Y₂O₃‑Al₂O₃、MgO‑Y₂O₃)。
添加量:2‑6 wt%,常和 MgF₂、YF₃复配使用
机理:高温生成 Si‑Ce‑Mg‑F‑O 液相,促进 α→β‑Si₃N₄相变,促进晶粒生长、提高致密度;F 可以抑制 SiO₂晶界玻璃相生成,降低晶界氧含量。
性能收益:提高高温强度、抗蠕变、抗氧化、耐酸碱腐蚀;用于氮化硅轴承、高温零部件。
对比氧化物助剂:氟化物体系晶界玻璃相更少,高温性能优于 Y₂O₃‑Al₂O₃体系;缺点:烧结气氛要控制,挥发问题需要注意。
注意:CeF₃高温有一定氟挥发,烧结优先氮气密闭气氛,开放体系会损失氟,影响性能。
添加:CeF₃ + AlN / YF₃ 复配,1‑4wt%
作用:形成低熔点氟氧化物液相,促进致密化,抑制晶粒异常长大,提升抗弯强度、断裂韧性、抗热震;适合光学 SiC、结构 SiC。
添加量 0.5‑2wt%,少量掺杂
作用:抑制晶粒长大,改善烧结活性;F 元素改性晶界,提高耐低温老化,提高化学耐蚀;多用于医用、精密结构氧化锆。不宜加多,过量会产生第二相杂晶。
Al₂O₃:CeF₃作为助烧,降低烧结温度,细化晶粒,制备细晶高强氧化铝;
AlN:少量 CeF₃,与表面 Al₂O₃反应生成液相,促进致密化,改善导热,但氟挥发需要管控。
纯度:3N‑4N;氧含量要低(CeOF 是有害杂相);D50:1‑3 μm;避免大颗粒。