CeF₃属于软质稀土氟化物磨料，莫氏硬度约 4‑5，远低于氧化铈（~7）、氧化铝（~9）。抛光中颗粒容易微破碎，切削柔和，主打无亚表面损伤、低划痕、超光滑镜面，用于硬脆特种陶瓷的最终精抛（终抛工序，不是粗抛 / 中抛）。

1、适配陶瓷工件

• 氮化硅 Si₃N₄陶瓷：轴承、高温结构件、氮化硅基板；要求极低亚表面裂纹，不能用金刚石做终抛。

• 碳化硅 SiC 陶瓷（烧结 / 反应烧结）：光学 SiC 反射镜、散热基板；金刚石粗抛后，CeF₃做终抛去除金刚石划痕与损伤层。

• 氧化锆 ZrO₂（TZP/Y‑SZ）：精密结构件、医疗陶瓷、光学氧化锆窗口。

• 氧化铝高纯 Al₂O₃透明陶瓷、AlN 氮化铝基板，红外透明陶瓷。

定位：粗抛用金刚石；中抛用细金刚石 / 氧化铝；终抛镜面用氟化铈，只做最后一道超精密抛光，材料去除速率偏低，追求表面质量优先，不追求快切量。

2、抛光机理（机械‑化学协同）

1. 微破碎软切削：CeF₃颗粒硬度低于陶瓷基体，受压后颗粒自身先碎裂，不会对陶瓷产生压入式切削，大幅抑制微裂纹、亚表面损伤，是核心优势。

2. 表面化学改性：抛光界面微量 F 与陶瓷表面发生弱化学作用，生成薄层易水化改性层，辅助原子级材料剥离；不会强腐蚀基体。

3. 区别氧化铈：CeO₂对硅酸盐玻璃化学活性很强，但对共价键陶瓷（SiC、Si₃N₄）化学作用弱，又硬度偏高，容易产生细微划痕；CeF₃更适合共价键硬脆陶瓷终抛。