TFT / 显示基板薄膜蚀刻
蚀刻对象:镍铬合金 (NiCr)、氮化铬 (CrN)、金属铝、锡薄膜、部分 ITO 改性薄膜;
应用:LCD/OLED 薄膜电阻、像素隔离金属层、触控传感器线路图形化;
优势:对玻璃基板、SiO₂钝化层、光刻胶选择性极佳,侧蚀小、线路边缘陡直。
高端 PCB/FPC 柔性线路精细蚀刻与微蚀
超薄电解铜箔微蚀刻、细线路返工修板;区别于三氯化铁,适合线宽<25μm 超高密度线路板、高频 PCB;
不侵蚀 FR4、PI 聚酰亚胺柔性基材。
MEMS 微机电、化合物半导体蚀刻GaAs、InP 光电器件薄膜刻蚀;微流控芯片、压力传感器金属薄膜开窗。
CeO₂高 k 栅介质薄膜(先进 TFT、新型半导体器件)CAN 配制透明前驱体溶胶,旋涂后低温煅烧制备氧化铈介电层;介电常数 k≈26,可替代部分氧化硅,降低器件漏电流。
光电器件钝化膜、紫外阻隔涂层OLED 封装盖板、光学传感器窗口薄膜;Ce⁴⁺/Ce³⁺循环吸收紫外,减少光致器件老化。
铈锆复合薄膜前驱体(气体传感器、SOFC 固体氧化物燃料电池)与硝酸锆复配制备 CeO₂-ZrO₂固溶体薄膜;材料具备优异储释氧能力,用于氧传感器、中温燃料电池电解质 / 电极涂层