硝酸铈铵(CAN)在 PCB 刻蚀、光刻板(铬版)刻蚀、电极改性。
一、PCB铜线路刻蚀(高精、环保、替代FeCI3)
1.原理
Ce4*强氧化性(1.61V),在酸性条件下把Cu氧化为可溶性Cu2*:
Cu +2Ce4+ ->Cu2+ +2Ce3+
只蚀铜,不蚀基材(环氧、玻璃、陶瓷),也不攻击光刻胶。
2.推荐配方(常用)
·CAN:50-150 g/L
硫酸:10-30mL/L(酸度稳定速率、防铜发黑)
去离子水:余量
温度:30–50℃
速率:3–10 μm/min(线宽≤50 μm 精细线最佳)
终点判断:溶液由橙→淡黄(Ce⁴⁺消耗)
边缘垂直、无侧蚀、毛刺极少,良率高
无氯离子,不腐蚀基底、无渗蚀
废液易处理,Ce³⁺可电解再生,环保
1.原理
Ce4在酸性下选择性氧化金属铬为可溶性Cr3*:
Cr+3Ce4->Cr3++3Ce3+
·只蚀铬,不伤石英玻璃、光刻胶、SiO2、SigN4、金/钛/钨。
2.标准铬蚀刻配方(行业通用)
· CAN : 10-20 wt%
·高氯酸:1-3wt%(关键:速率稳定、边缘更垂直)
去离子水:余量
3.工艺参数
温度:25-35°C
·速率:50-150 nm/min (铬膜常用100-150 nm/min)
·边缘垂直度:≥85%,无侧蚀、纳米级光洁
芯片 / 面板光掩模铬版
LCD/OLED铬电极、遮光层
光学镀膜除铬、修版
极致选择性:只溶铬,基底零损伤
图形边缘锐利、无钻蚀,线宽精度可达 **≤1 μm**
药液稳定、寿命长,适合量产

1)表面氧化钝化(金属电极:Cu、Ag)
Ce⁴⁺氧化电极表层,生成致密 CeO₂–金属氧化物复合膜
效果:耐蚀↑、导电稳定、防氧化 / 硫化
2)引入铈基活性位点(碳 / 复合电极)
CAN 浸渍→热分解→纳米 CeO₂锚定在电极表面
Ce³⁺/Ce⁴⁺氧化还原对,提升催化活性、降低极化阻抗
浓度:0.1–0.5 mol/L CAN(稀硝酸酸化,pH 1–2)
处理:室温浸泡5–30 min → 水洗 → 烘干(100–150℃)→ 可选200–300℃煅烧(增强结合)
铜电极:防氧化、防迁移,适合 PCB、连接器
银电极:抗硫化,延长寿命(传感器、显示屏)
碳电极(传感 / 电池):
氧还原 / 析氧催化↑
重金属、有机物检测灵敏度↑