硝酸铈铵的分子式为(NH4)2Ce(NO3)6·2H2O，分子量：584.23，CAS NO. :16774-21-3 外观性状：桔红色单斜晶系细小结晶，易溶于水，有潮解性，密闭保存。

硝酸铈铵（CAN）用于铬版 / 光掩模铬蚀刻

在强酸性条件下，Ce4强氧化剂选择性氧化金属铬为可溶性Cr3*:Cr+3Ce4->Cr3+ +3Ce3+

被还原:橙红色Ce4一淡黄色Ce3t(颜色变浅即药力下降)选择性:不腐蚀石英/玻璃、光刻胶、SiO2、SigN4、金/钛/钨应用:光刻铬版、LCD/OLED遮光层、光罩、光学镀膜除铬

优势：

✅ 极致选择性：只蚀铬，石英 / 玻璃 / 光刻胶零损伤

✅ 边缘垂直：垂直度≥85%，无侧蚀、无钻蚀、纳米级光洁

✅ 良率高：颗粒少、均匀性好，适合高精度光罩 / 面板

✅ 环保易处理：无氯离子，Ce³⁺可电解再生，废液易达标。

典型应用场景与配方

1）光掩模版 / 精密铬膜蚀刻（半导体、LCD/OLED）

• 适用：石英 / 玻璃基底上 100–150 nm 铬遮光层、光刻铬版

• 标准配方（1 L）：

• 硝酸铈铵（CAN）：180–220 g

• 高氯酸（70%）：100–130 mL

• 去离子水：补足至 1 L

• 工艺参数：

• 温度：28–32 ℃（最优 30 ℃）

• 速率：150–200 nm/min

• 时间：40–60 s（120–150 nm 铬层）

• pH：0.8–1.5

• 搅拌：轻柔鼓泡，减少边缘侵蚀

• 优势：不腐蚀光刻胶、SiO₂、氮化硅、金 / 钛 / 钨；边缘垂直度 ≥85%，纳米级无侧蚀

2）PCB 精细线路蚀刻（高端板，线宽 ≤50 μm）

• 适用：铜箔（10–35 μm）、镍铬合金线路

• 配方：0.2 mol/L CAN + 0.5 mol/L 硝酸 + 水

• 工艺：室温，速率 10 μm/min，环氧基材无腐蚀

• 优势：替代 FeCl₃，线路平整、毛刺少、废液易处理、\(Ce^{3+}\) 可回收

3）硅片 Cr 掩模去除（MEMS、湿法刻蚀）

• 用途：硅 KOH 刻蚀后，去除 Cr 掩模（CAN 不蚀硅）

• 配方：5–20% CAN + 硝酸 / 醋酸

三、关键优缺点

优点

• 高选择性：对 SiO₂、Si₃N₄、光刻胶、Au、Ti、W 几乎无腐蚀

• 低侧蚀：各向同性但边缘垂直度好，适合 ≤2 μm 精细图形

• 速率稳定：温度 / 浓度可控，重复性强

• 环保易处理：无氯离子，废液可回收铈盐，污染低

缺点

• 成本较高：稀土铈原料价格高于 FeCl₃、HCl/H₂O₂

• 酸性强：需 HDPE/PP/PTFE 设备，避免铝 / 镍接触

• 光照易分解：避光储存，有效期约 6–12 个月