硝酸铈铵是电子半导体领域高精度铜基刻蚀的核心专用强氧化剂，凭借高刻蚀效率、极致基材选择性、工艺易控性等核心优势，成为 PCB 精细线路、LCD 液晶玻璃、半导体铜布线、薄膜晶体管（TFT）背光源等微纳刻蚀工序的优选材料，完美匹配电子半导体制造小型化、高密度、高良率的生产需求，是替代传统刻蚀剂的高效升级方案。

核心高效刻蚀优势

1. 刻蚀效率优异，适配规模化生产：中低温（60℃左右）下即可实现铜靶材快速氧化刻蚀，1 小时铜降解率达 99%，无需高温高压加持，在保证刻蚀效果的同时大幅提升生产节拍，适配电子半导体行业大规模连续生产需求。

2. 极致基材选择性，避免过刻蚀损伤：Ce⁴⁺仅靶向氧化刻蚀铜层，对硅片、液晶玻璃基板、陶瓷基底、光刻胶等半导体核心基材无腐蚀、无损伤，彻底杜绝过刻蚀导致的线路短路、基材破损，刻蚀精度可达微纳级别，匹配精细线路加工要求。

3. 反应进程可视化，刻蚀精度精准可控：刻蚀过程中随 Ce⁴⁺消耗，溶液从标志性橙色逐步变为淡黄色，无需额外检测设备即可实时判断刻蚀终点，精准把控处理时长，有效避免刻蚀不足 / 过度问题，大幅提升产品良率。

4. 电子级高纯适配，无杂质污染风险：可量产 99.99% 及以上电子级高纯品，Fe、Ca、SO₄²⁻等杂质含量控制在 ppm 级，刻蚀过程中不向半导体晶圆、玻璃基板等核心基材引入杂质，避免杂质导致的元件导电性下降、信号损耗等问题，符合 RoHS/CE 环保认证标准。

5. 刻蚀体系稳定，均匀性拉满：水溶性优异（25℃溶解度 1.41g/mL），可配制成任意浓度的均匀水溶液刻蚀液，无沉淀、无分层，能与基材表面充分接触，保证刻蚀后线路边缘平整、无毛刺，解决传统刻蚀剂体系不均导致的局部刻蚀深浅不一问题。

6. 环保可循环，降本增效：刻蚀后生成的 Ce³⁺可通过电解 / 化学氧化简单再生为 Ce⁴⁺，循环利用率超 85%，大幅减少含铈废液排放，契合电子半导体行业严苛环保要求，同时降低原料单次使用成本，实现环保与经济效益双赢。

核心高效刻蚀应用场景

• PCB 电路板：高密度精细线路铜层刻蚀，适配柔性 PCB、高频 PCB 等高端电路板加工；

• LCD/LED 液晶玻璃：玻璃基板铜电极微纳刻蚀，提升显示面板透光率与信号传输效率；

• 半导体器件：晶圆铜布线、微纳结构铜层刻蚀，匹配半导体芯片小型化加工需求；

• 薄膜晶体管（TFT）：背光源、驱动电路铜靶材专用刻蚀，适配平板显示、OLED 器件制造。