硅基材料蚀刻：用于单晶硅、多晶硅的微蚀刻，例如在半导体芯片制造中，硝酸铈铵与硝酸、氢氟酸复配，可蚀刻硅片表面的氧化层或形成微米级沟槽、孔洞。典型配方为 CAN 0.1-0.5mol/L + 硝酸 5%-10% + 氢氟酸 1%-3%，25-35℃下蚀刻速率约 0.5-2μm/min，能实现硅材料的精准减薄或图案化。

PCB 线路板蚀刻：针对 PCB 板上的铜、银等金属线路，硝酸铈铵可作为无氯蚀刻剂替代传统氯化铁蚀刻液。例如蚀刻铜线路时，CAN 与硫酸复配（CAN 0.2mol/L + 硫酸 10%），在 30℃下蚀刻速率达 1-3μm/min，蚀刻后的线路边缘整齐、无毛刺，且废水不含氯离子，处理难度更低。

玻璃与陶瓷表面蚀刻

用于玻璃或陶瓷的表面微蚀刻，提升材料表面粗糙度，增强与涂层、胶粘剂的结合力。例如在光伏玻璃、电子陶瓷基板加工中，CAN 与氢氟酸复配（CAN 0.05-0.1mol/L + 氢氟酸 2%-4%），室温下蚀刻 30-60 秒，可使材料表面接触角从 90° 降至 30° 以下，涂层附着力提升 2-3 倍。

3. 蚀刻工艺要点与安全注意

工艺控制：蚀刻前需清洁基材表面（去除油污、氧化层），蚀刻中通过搅拌保证反应均匀，蚀刻后需立即用去离子水冲洗，避免残留药剂腐蚀材料。

安全防护：硝酸铈铵具有强氧化性和腐蚀性，接触皮肤、眼睛会造成严重刺激，操作时需穿戴防腐蚀手套、护目镜、防护服，避免与还原剂、有机物接触（防止发生氧化还原反应放热）。

废液处理：蚀刻废液含重金属铈离子和铵盐，需经中和、沉淀处理达标后排放，不可直接丢弃。