磷化铟单晶的制备操作步骤包括如下两道：
(1)合成磷化铟多晶。合成操作是让高纯的磷蒸气与熔融高纯铟直接发生作用，多采用水平定向结晶法和区域熔炼法。
(2)制备掺杂磷化铟单晶。一般采用高压溶液提拉法，是将盛有磷化铟多晶的石英坩埚置于高压设备内进行，用电阻丝或高频加热，惰性气体保护(压力3×106Pa)下让晶体生长。为了提高InP单晶质量，降低位错密度，可通过掺杂(如Sn、S、Zn、Fe、Ga、Sb等)以减少位错。掺杂是往多晶中放人中间掺人物，使之在熔融和结晶过程中得予扩散实现。
粉体圈首页
