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中美合作开发出新型硫化钡锆BaZrS3薄膜半导体材料
2019年12月27日 发布 分类:技术前沿 点击量:402
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据美联社报道,在11月的《纳米能源》(Nano Energy)期刊上,发表了一项由中美研究人员共同开发的新型钙钛矿半导体材料成果,硫化钡锆(BaZrS3)薄膜。这种薄膜结合了超强的光吸收和良好的电荷传输,这两个特性使其成为光电和发光二极管(LED)等应用的理想材料。

 

(图片来源:布法罗大学)

BaZrS3属于一类被称为硫属化物的钙钛矿材料。近年来,理论界计算出各种硫系钙钛矿应具有有用的电子和光学性质,这些预测引起了研究人员的兴趣和想象。硫化钡锆粉体的诞生可以追溯到上世纪50年代美国一家材料企业,但并未获得关注。

研究人员利用激光加热和蒸发钡锆氧化物,气相沉积的薄膜材料再经过硫化反应获得最终BaZrS3薄膜。以太阳能电池板为例,实验结果表明,BaZrS3薄膜比厚度相同的传统硅基材料更能有效地将阳光转化为电能。这可能会降低太阳能成本,特别是即使在有缺陷的情况下,新薄膜的表现也非常突出。

原文链接:https://eurekalert.org/pub_releases/2019-12/uab-sct122319.php

编译 YUXI


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