碳化硅单晶是一种宽禁带半导体材料，被广泛应用于制作高温、高频及大功率电子器件。此外，由于碳化硅SiC和氮化镓的晶格失配小，碳化硅单晶是氮化镓基LED、肖特基二极管等器件的理想衬底材料。为降低器件成本，下游产业对碳化硅单晶衬底提出了大尺寸的要求，目前国际市场上已有6英寸产品，预计市场份额将逐年增大。
中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家实验室（筹）先进材料与结构分析实验室陈小龙研究组长期从事碳化硅单晶生长研究工作，团队人员通过自主创新和探索，获得了碳化硅单晶生长设备、晶体生长和粉体技术等一整套自主知识产权。
2014年11月，团队人员与北京天科合达蓝光半导体有限公司合作，成功解决了6英寸扩径技术和晶片加工技术，研制出了6英寸碳化硅单晶衬底。拉曼光谱测试表明生长出的碳化硅晶体为4H晶型。这一成果标志着物理所的SiC单晶生长研发工作已达到国际先进水平。6英寸SiC单晶衬底的研发成功，为高性能SiC基电子器件的国产化提供了材料基础。
(来源：中国科学院)
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